LED芯片常用衬底材料选用比较
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2011 年上半年，公司实现营业收入1.82 亿元，同比增长40.27%，营业务成本为0.66 亿元，同比增长32.01%，成本增速慢于营收增速主要是由于原材料尤其是衬底材料价格下降。公司实现营业利润9875 万元，同比增长54.3%；净利润8783 万元，同比增长45.7%。
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据最新消息可知，与硅衬底技术并列LED三大技术路线的蓝宝石衬底技术曾获2014年诺贝尔物理学奖。有产业经济学家表示，在成本持续下降的背景下，硅衬底技术如若能获得资本大力追捧，LED产业格局有望被重塑。
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一种高纯稀有金属冶炼炉炉衬的制备方法
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对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究。系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数, 通过大量实验, 总结出了其影响因素并提出了优化方案。结果表明, 采用粒径为40nm、低分散度的二氧化硅溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光, 可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。能够有效地提高蓝宝石表面的性能及加工效率。
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LED通常是在GaAs衬底上外延生长InGaAlP发光区GaP窗口区制备而成。与InGaAlP相比，GaAs材料具有小得多的禁带宽度，因此，当短波长的光从发光区与窗口表面射入GaAs衬底时，将被悉数吸收，成为器件出光效率不高的主要原因。
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以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx 薄膜界面特性的影响。
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太阳能电池如下图所示。一般多选用在p型硅衬底上扩散型硅衬底上扩散n型硅形成太阳电池雏形。
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本文采用二氧化钛（Ｐ２５），粘结剂及溶剂，研磨数小时得到均匀分散的纳米二氧化钛浆料，通过涂布法在ＦＴＯ导电玻璃衬底上制备了光阳极，
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外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶（或化合物）衬底材料上淀积一层薄的单晶（或化合物）层。
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在LED的制备过程中，上游的衬底材料是决定LED颜色、亮度、寿命等性能指标的主要因素。
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现在蓝宝石仍是生长HBLED结构的衬底选择。不过，采用蓝宝石生长也存在两个问题：蓝宝石没有完美的晶格匹配，光提取会因为有两个平行的反射面而减少。未来解决这两个问题
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本实用新型公开了一种CIGS基薄膜太阳能电池，其包括：衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、本征氧化锌层、透明导电窗口层、高折射率材料层、低折射率材料层。
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蓝宝石由于具有与GaN大体匹配的晶格，以及与同质衬底相比的成本效益，是LED开盒即用晶片的卓越材料。在诸如商业和住宅照明等应用不断增加的需求推动下，为了满足今后数年里预期的市场增长，LED市场将需要越来越多的低成本LED级蓝宝石。蓝宝石的高熔点导致诸如氧空位和间隙原子等点缺陷的平衡量
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